ICE20N60 IceMOS Technology
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ICE20N60

Produktübersicht

12990377

Teilenummer

ICE20N60-DG
ICE20N60

Beschreibung

Superjunction MOSFET

Inventar

16000 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 600 V 20A (Tc) 236W (Tc) Through Hole TO-220
Menge
Mindestens 1

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ICE20N60 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller IceMOS Technology

Verpackung Tube

Reihe -

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 600 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 20A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 3.9V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 2064 pF @ 25 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 236W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten TO-220

Paket / Koffer TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

ICE20N60

HTML-Datenblatt

ICE20N60-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
5133-ICE20N60
DIGI-Zertifizierung
Blogs & Beiträge