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NVTFWS052P04M8LTAG
onsemi
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
1900 Stück Neu Original Auf Lager
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NVTFWS052P04M8LTAG
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Teilenummer
NVTFWS052P04M8LTAG-DGHersteller
onsemi
NVTFWS052P04M8LTAG
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFNInventar
1900 Stück Neu Original Auf Lager
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NVTFWS052P04M8LTAG Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 95µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
424 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.9W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
NVTFWS052
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NVTFS052P04M8L
HTML-Datenblatt
NVTFWS052P04M8LTAG-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVTFWS052P04M8LTAGCT
488-NVTFWS052P04M8LTAGDKR
488-NVTFWS052P04M8LTAGTR
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die Hauptfunktionen und Spezifikationen des NVTFWS052P04M8LTAG MOSFET?
Der NVTFWS052P04M8LTAG ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Nennspannung von 40V, der Dauerlastströme von bis zu 4,7A (bei Umgebungstemperatur) und 13,2A (bei Gehäusetemperatur) bewältigen kann. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Rds(on) von 69 mΩ bei 5A und 10V aus, was ihn für effiziente Schaltanwendungen in einem kompakten 8-WDFN-Gehäuse geeignet macht.
Ist dieser P-Kanal-MOSFET mit Automobiltechnik kompatibel und welche Zertifizierungen besitzt er?
Ja, der MOSFET ist für den Einsatz im Automobilbereich ausgelegt und erfüllt die AEC-Q101 Norm, was Zuverlässigkeit und Leistung in Automobilumgebungen gewährleistet. Zudem entspricht er den RoHS3- und REACH-Richtlinien, was ihn sicher und umweltfreundlich macht.
Wie verlässlich ist die Leistung des NVTFWS052P04M8LTAG MOSFET bei hohen Temperaturen?
Dieser MOSFET kann in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben werden. Die Leistungsaufnahme beträgt bis zu 2,9 W unter Umgebungstemperatur und bis zu 23 W bei Gehäusetemperatur, was eine zuverlässige Funktion auch in anspruchsvollen Umgebungen sicherstellt.
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Oberflächenmontage-MOSFETs im 8-WDFN-Gehäuse?
Das 8-WDFN-Gehäuse bietet ein kompaktes Design mit hervorragender Wärmeableitung, ideal für platzbeschränkte elektronische Geräte. Das Oberflächenmontage-Design erleichtert zudem die automatisierte Bestückung und erhöht die Zuverlässigkeit.
Kann ich diesen MOSFET in größeren Stückzahlen kaufen und wie ist die Verfügbarkeit?
Ja, der NVTFWS052P04M8LTAG MOSFET ist vorrätig mit über 2.410 Einheiten, was ihn sowohl für kleine als auch große Projekte geeignet macht. Er wird im Tape & Reel-Verpackung geliefert, um die Integration in die Fertigung zu erleichtern.
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