71V416L12PHGI
Renesas Electronics Corporation
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
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71V416L12PHGI

Produktübersicht

6215006

Teilenummer

71V416L12PHGI-DG
71V416L12PHGI

Beschreibung

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

Inventar

107836 Stück Neu Original Auf Lager
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II
Speicher
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71V416L12PHGI Technische Spezifikationen

Kategorie Speicher, Speicher

Verpackung -

Reihe -

Produktstatus Active

DiGi-Electronics Programmierbar Not Verified

Speichertyp Volatile

Speicherformat SRAM

Technologie SRAM - Asynchronous

Größe des Speichers 4Mbit

Organisation des Speichers 256K x 16

Speicher-Schnittstelle Parallel

Zykluszeit schreiben - Word, Seite 12ns

Zugriffszeit 12 ns

Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)

Art der Montage Surface Mount

Paket / Koffer 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Gerätepaket für Lieferanten 44-TSOP II

Basis-Produktnummer 71V416L

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

IDT71V416S/L

HTML-Datenblatt

71V416L12PHGI-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
135
Andere Namen
800-2133
IDT71V416L12PHGI
IDT71V416L12PHGI-DG

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
71V416L15PHGI
Renesas Electronics Corporation
1196
71V416L15PHGI-DG
6.3947
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
2100
IS61WV25616BLL-10TL-DG
1.0685
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Wie groß ist die Speicherkapazität des Renesas 71V416L12PHGI SRAM-Chips?
Der Renesas 71V416L12PHGI SRAM-Chip verfügt über eine Speicherkapazität von 4 Megabit, organisiert als 256K × 16 Bit, ideal für Hochgeschwindigkeits-Datenspeicheranwendungen.
Ist der 71V416L12PHGI SRAM mit anderen Speichermodulen kompatibel und welches Schnittstellenprotokoll nutzt er?
Dieser SRAM verwendet eine parallele Schnittstelle mit asynchroner Technologie, was ihn kompatibel mit Systemen macht, die parallele Speichermodule unterstützen, und somit zuverlässigen sowie schnellen Datenzugriff gewährleistet.
Was sind die Hauptmerkmale und Vorteile des 71V416L12PHGI SRAM-Chips?
Zu den Hauptmerkmalen zählen eine Zugriffs- und Schreibzykluszeit von 12 ns, eine Betriebsspannung von 3V bis 3,6V sowie ein Temperaturbereich von -40°C bis 85°C, was hohe Leistung auch in industriellen Umgebungen garantiert.
Für welche typischen Anwendungen eignet sich der 71V416L12PHGI SRAM-Speicherchip?
Dieser SRAM-Chip ist ideal für Anwendungen, die schnelle, flüchtige Speicherung erfordern, wie eingebettete Systeme, Netzwerkausrüstung und Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitungssysteme.
Erfüllt der 71V416L12PHGI SRAM Umwelt- und Sicherheitsstandards?
Ja, der Chip ist RoHS3-konform und REACH-unbedenklich, wodurch er die Umwelt- und Sicherheitsvorschriften erfüllt und für verschiedene elektronische Produkte geeignet ist.
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