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SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
38040 Stück Neu Original Auf Lager
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3
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12786667
Teilenummer
SI9933CDY-T1-GE3-DGHersteller
Vishay Siliconix
SI9933CDY-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICInventar
38040 Stück Neu Original Auf Lager
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
665pF @ 10V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI9933
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SI9933CDY
HTML-Datenblatt
SI9933CDY-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI9933CDY-T1-GE3TR
SI9933CDYT1GE3
SI9933CDY-T1-GE3DKR
SI9933CDY-T1-GE3CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dezember 02, 2025
포장 과정이 정밀하고 튼튼하여 제품 보호에 최적입니다.
Dezember 02, 2025
注文後すぐに届き、梱包も安心できるものでした。とても満足です！
Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Dezember 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die wichtigsten Merkmale des Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET-Arrays?
Das Vishay SI9933CDY-T1-GE3 ist ein duales P-Kanal-MOSFET-Array, das für Oberflächenmontage ausgelegt ist. Es verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 20 V, einen Dauer-Drain-Strom von 4 A und einen niedrigen Rds(on) von 58 mΩ, wodurch es sich ideal für Leistungsschaltungen und Laststeuerung eignet.
Ist das Vishay SI9933CDY-T1-GE3 mit Logikpegel-Gate-Treibern kompatibel?
Ja, dieses MOSFET-Array besitzt eine Logikpegel-Gate-Funktion mit einem Vgs(th) von 1,4 V, was einen effizienten Betrieb mit Standard-Logikpegelspannungen, typischerweise 4,5 V bis 10 V, ermöglicht.
Für welche typischen Anwendungen eignet sich dieses duale P-Kanal-MOSFET-Array?
Dieses MOSFET-Array wird häufig im Lastschalten, in der Energieverwaltung, in der PWM-Steuerung sowie in anderen elektronischen Schaltungen verwendet, die hohe Effizienz und niedrigen Rds(on) für die Zweikanal-Leistungsschaltung erfordern.
Ist das Vishay SI9933CDY-T1-GE3 für Hochtemperaturumgebungen geeignet?
Ja, es arbeitet zuverlässig im Temperaturbereich von -50 °C bis 150 °C und eignet sich somit für Hochtemperatur-Industrie- und Automobilanwendungen.
Welche Vorteile bietet die MOSFET-Serie SI9933 in Bezug auf Haltbarkeit und Konformität?
Die MOSFETs der Serie SI9933 sind RoHS3-konform, haben einen Moisture Sensitivity Level 1 (unbegrenzte Haltbarkeit) und sind für Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umweltbedingungen ausgelegt, was Langlebigkeit und Einhaltung der Branchenstandards gewährleistet.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
SI9933CDY-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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