SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR608DP-T1-RE3

Produktübersicht

12786886

Teilenummer

SIR608DP-T1-RE3-DG
SIR608DP-T1-RE3

Beschreibung

MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
N-Channel 45 V 51A (Ta), 208A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR608DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Vishay

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe TrenchFET® Gen IV

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 45 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 51A (Ta), 208A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 2.3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 167 nC @ 10 V

Vgs (Max) +20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 8900 pF @ 20 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten PowerPAK® SO-8

Paket / Koffer PowerPAK® SO-8

Basis-Produktnummer SIR608

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

SiR608DP

HTML-Datenblatt

SIR608DP-T1-RE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR608DP-T1-RE3CT
SIR608DP-T1-RE3TR
SIR608DP-T1-RE3DKR

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
RS3L045GNGZETB
Rohm Semiconductor
1173
RS3L045GNGZETB-DG
0.25
MFR Recommended
RS1L145GNTB
Rohm Semiconductor
1003
RS1L145GNTB-DG
0.81
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