SIHB22N60AE-GE3 Vishay Siliconix
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SIHB22N60AE-GE3

Produktübersicht

13008672

Teilenummer

SIHB22N60AE-GE3-DG
SIHB22N60AE-GE3

Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Menge
Mindestens 1

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SIHB22N60AE-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Vishay

Verpackung Tube

Reihe E

Verpackung Tube

Status des Teils Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 600 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 20A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 1451 pF @ 100 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 179W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten TO-263 (D2PAK)

Paket / Koffer TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis-Produktnummer SIHB22

Datenblatt & Dokumente

HTML-Datenblatt

SIHB22N60AE-GE3-DG

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
FCB20N60FTM
onsemi
2398
FCB20N60FTM-DG
2.61
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IPB60R160C6ATMA1
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3347
IPB60R160C6ATMA1-DG
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1748
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831
R6024ENJTL-DG
1.59
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2501
IPB60R180P7ATMA1-DG
0.88
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